Category Archives: Bán dẫn
Động cơ phản lực đạt hiệu suất cao hơn với công nghệ in 3D
Một thế hệ động cơ mới được phát triển bởi nhà sản xuất động cơ phản lực lớn nhất thế giới, CFM (công ty liên doanh giữa GE Aviation và Snecma của Pháp), sẽ giúp máy bay hạ mức tiêu
Động cơ phản lực đạt hiệu suất cao hơn với công nghệ in 3D
Một thế hệ động cơ mới được phát triển bởi nhà sản xuất động cơ phản lực lớn nhất thế giới, CFM (công ty liên doanh giữa GE Aviation và Snecma của Pháp), sẽ giúp máy bay hạ mức tiêu
Đo độ phóng xạ ở Fukushima: một ví dụ về khai thác sức mạnh cộng đồng
Ngày 11 tháng 3 năm 2011, một trận động đất cường độ 8.9 độ Richter đã tạo nên cơn sóng thần có sức mạnh huỷ diệt với những bức tường nước quét qua các thành phố ven biển phía bắc
Đo độ phóng xạ ở Fukushima: một ví dụ về khai thác sức mạnh cộng đồng
Ngày 11 tháng 3 năm 2011, một trận động đất cường độ 8.9 độ Richter đã tạo nên cơn sóng thần có sức mạnh huỷ diệt với những bức tường nước quét qua các thành phố ven biển phía bắc
Hiện tượng phóng điện do tĩnh điện (ESD) – Phần cuối: Anti-parallel diodes
(Phần 9: Bảo vệ ESD cho mạch có nhiều nguồn cấp điện) … Cách thức hoạt động của anti-parallel diodes trong điều kiện có ESD thì hoàn toàn tương tự như trong mạch double-diode: một trong hai diode sẽ bị
Hiện tượng phóng điện do tĩnh điện (ESD) – Phần cuối: Anti-parallel diodes
(Phần 9: Bảo vệ ESD cho mạch có nhiều nguồn cấp điện) … Cách thức hoạt động của anti-parallel diodes trong điều kiện có ESD thì hoàn toàn tương tự như trong mạch double-diode: một trong hai diode sẽ bị
Hiện tượng phóng điện do tĩnh điện (ESD) – Phần 9: Bảo vệ ESD cho mạch có nhiều nguồn cấp điện
(Phần 8: Toàn cảnh bảo vệ ESD cho mạch có một nguồn cấp điện) … Trong rất nhiều trường hợp thực tế, con chíp sử dụng nhiều hơn một nguồn cấp điện. Ví dụ như: Chíp digital có thể sử
Hiện tượng phóng điện do tĩnh điện (ESD) – Phần 9: Bảo vệ ESD cho mạch có nhiều nguồn cấp điện
(Phần 8: Toàn cảnh bảo vệ ESD cho mạch có một nguồn cấp điện) … Trong rất nhiều trường hợp thực tế, con chíp sử dụng nhiều hơn một nguồn cấp điện. Ví dụ như: Chíp digital có thể sử
Hiện tượng phóng điện do tĩnh điện (ESD) – Phần 8: Toàn cảnh bảo vệ ESD cho mạch có một nguồn cấp điện
(Phần 7: Bảo vệ ESD cho các I/O tín hiệu với mạch “double-diode”) … Sau khi xây dựng được mạch power clamp để bảo vệ các chân cấp nguồn và mạch double-diode để bảo vệ các I/O ta có thể
Hiện tượng phóng điện do tĩnh điện (ESD) – Phần 8: Toàn cảnh bảo vệ ESD cho mạch có một nguồn cấp điện
(Phần 7: Bảo vệ ESD cho các I/O tín hiệu với mạch “double-diode”) … Sau khi xây dựng được mạch power clamp để bảo vệ các chân cấp nguồn và mạch double-diode để bảo vệ các I/O ta có thể
Bộ nhớ Flash có độ bền 100 triệu lần ghi xóa
Một chút nhiệt giúp độ bền của flash vượt qua giới hạn 10 ngàn lần ghi xóa Trong thế giới chip bộ nhớ, flash là vua. Nhưng nó không hoàn hảo. Nó sẽ dễ hư hỏng sau khi được xóa
Bộ nhớ Flash có độ bền 100 triệu lần ghi xóa
Một chút nhiệt giúp độ bền của flash vượt qua giới hạn 10 ngàn lần ghi xóa Trong thế giới chip bộ nhớ, flash là vua. Nhưng nó không hoàn hảo. Nó sẽ dễ hư hỏng sau khi được xóa
Broadcom: Đã đến lúc chuẩn bị cho hồi kết của định luật Moore
Buổi tiệc chưa hẳn đã chấm dứt, nhưng đã đến lúc chúng ta nên chuẩn bị gọi taxi về nhà. Đó là quan điểm ngắn gọn của Henry Samueli về nền công nghiệp bán dẫn hiện tại. Giám đốc kỹ
Broadcom: Đã đến lúc chuẩn bị cho hồi kết của định luật Moore
Buổi tiệc chưa hẳn đã chấm dứt, nhưng đã đến lúc chúng ta nên chuẩn bị gọi taxi về nhà. Đó là quan điểm ngắn gọn của Henry Samueli về nền công nghiệp bán dẫn hiện tại. Giám đốc kỹ
Hiện tượng phóng điện do tĩnh điện (ESD) – Phần 7: Bảo vệ ESD cho các I/O tín hiệu với mạch “double-diode”
(Phần 6: Bảo vệ ESD cho VDD và VSS với mạch “power clamp”) … Một trong những cách bảo vệ các I/O tín hiệu đơn giản nhất là dùng hai diode nối như trong Hình 9. Mạch này thường được
Hiện tượng phóng điện do tĩnh điện (ESD) – Phần 7: Bảo vệ ESD cho các I/O tín hiệu với mạch “double-diode”
(Phần 6: Bảo vệ ESD cho VDD và VSS với mạch “power clamp”) … Một trong những cách bảo vệ các I/O tín hiệu đơn giản nhất là dùng hai diode nối như trong Hình 9. Mạch này thường được
Hiện tượng phóng điện do tĩnh điện (ESD) – Phần 6: Bảo vệ ESD cho VDD và VSS với mạch “power clamp”
(Phần 5: Bảo vệ các I/O) … Mạch ESD nối giữa VDD và VSS hoạt động như một công tắc nối giữa hai chân này: Trong điều kiện bình thường, nghĩa là khi |VDD – VSS| nằm trong giới hạn
Hiện tượng phóng điện do tĩnh điện (ESD) – Phần 6: Bảo vệ ESD cho VDD và VSS với mạch “power clamp”
(Phần 5: Bảo vệ các I/O) … Mạch ESD nối giữa VDD và VSS hoạt động như một công tắc nối giữa hai chân này: Trong điều kiện bình thường, nghĩa là khi |VDD – VSS| nằm trong giới hạn
Hiện tượng phóng điện do tĩnh điện (ESD) – Phần 5: Bảo vệ các I/O
(Phần 4: Nguyên lý cơ bản) … Khả năng chịu đựng dòng điện ESD của một con chíp có thể được nâng cao bằng cách bổ sung các mạch điện bảo vệ vào bên trong nó. Những mạch điện này
Hiện tượng phóng điện do tĩnh điện (ESD) – Phần 5: Bảo vệ các I/O
(Phần 4: Nguyên lý cơ bản) … Khả năng chịu đựng dòng điện ESD của một con chíp có thể được nâng cao bằng cách bổ sung các mạch điện bảo vệ vào bên trong nó. Những mạch điện này
Tạ Minh Chiến
Phạm Duy Đông
Huỳnh Lê Vũ Dương
Hồ Quang Tây
mikekan15
Astroboy
Hoa-Phuong Nguyen
Huỳnh Trọng Anh
Đinh Thành Việt
Chuyên Mục Công Nghệ 