Category Archives: Thiết kế
Hiện tượng phóng điện do tĩnh điện (ESD) – Phần 8: Toàn cảnh bảo vệ ESD cho mạch có một nguồn cấp điện
(Phần 7: Bảo vệ ESD cho các I/O tín hiệu với mạch “double-diode”) … Sau khi xây dựng được mạch power clamp để bảo vệ các chân cấp nguồn và mạch double-diode để bảo vệ các I/O ta có thể
Hiện tượng phóng điện do tĩnh điện (ESD) – Phần 8: Toàn cảnh bảo vệ ESD cho mạch có một nguồn cấp điện
(Phần 7: Bảo vệ ESD cho các I/O tín hiệu với mạch “double-diode”) … Sau khi xây dựng được mạch power clamp để bảo vệ các chân cấp nguồn và mạch double-diode để bảo vệ các I/O ta có thể
Hiện tượng phóng điện do tĩnh điện (ESD) – Phần 7: Bảo vệ ESD cho các I/O tín hiệu với mạch “double-diode”
(Phần 6: Bảo vệ ESD cho VDD và VSS với mạch “power clamp”) … Một trong những cách bảo vệ các I/O tín hiệu đơn giản nhất là dùng hai diode nối như trong Hình 9. Mạch này thường được
Hiện tượng phóng điện do tĩnh điện (ESD) – Phần 7: Bảo vệ ESD cho các I/O tín hiệu với mạch “double-diode”
(Phần 6: Bảo vệ ESD cho VDD và VSS với mạch “power clamp”) … Một trong những cách bảo vệ các I/O tín hiệu đơn giản nhất là dùng hai diode nối như trong Hình 9. Mạch này thường được
Hiện tượng phóng điện do tĩnh điện (ESD) – Phần 6: Bảo vệ ESD cho VDD và VSS với mạch “power clamp”
(Phần 5: Bảo vệ các I/O) … Mạch ESD nối giữa VDD và VSS hoạt động như một công tắc nối giữa hai chân này: Trong điều kiện bình thường, nghĩa là khi |VDD – VSS| nằm trong giới hạn
Hiện tượng phóng điện do tĩnh điện (ESD) – Phần 6: Bảo vệ ESD cho VDD và VSS với mạch “power clamp”
(Phần 5: Bảo vệ các I/O) … Mạch ESD nối giữa VDD và VSS hoạt động như một công tắc nối giữa hai chân này: Trong điều kiện bình thường, nghĩa là khi |VDD – VSS| nằm trong giới hạn
Hiện tượng phóng điện do tĩnh điện (ESD) – Phần 5: Bảo vệ các I/O
(Phần 4: Nguyên lý cơ bản) … Khả năng chịu đựng dòng điện ESD của một con chíp có thể được nâng cao bằng cách bổ sung các mạch điện bảo vệ vào bên trong nó. Những mạch điện này
Hiện tượng phóng điện do tĩnh điện (ESD) – Phần 5: Bảo vệ các I/O
(Phần 4: Nguyên lý cơ bản) … Khả năng chịu đựng dòng điện ESD của một con chíp có thể được nâng cao bằng cách bổ sung các mạch điện bảo vệ vào bên trong nó. Những mạch điện này
Hiện tượng phóng điện do tĩnh điện (ESD) – Phần 4: Nguyên lý cơ bản
(Phần 3: Dòng điện ESD) … Mặc dù khả năng chịu đựng ESD thường được mô tả bằng các giá trị VESD cho các mô hình tương ứng (HBM, MM, hay CDM) như trong Bảng 1 (xem Phần 2), bản
Hiện tượng phóng điện do tĩnh điện (ESD) – Phần 4: Nguyên lý cơ bản
(Phần 3: Dòng điện ESD) … Mặc dù khả năng chịu đựng ESD thường được mô tả bằng các giá trị VESD cho các mô hình tương ứng (HBM, MM, hay CDM) như trong Bảng 1 (xem Phần 2), bản
Áo choàng tàng hình ‘hoàn hảo’
Lần đầu tiên các nhà khoa học thành công trong việc “tàng hình” hoàn hảo một vật thể, làm cho một vật hình trụ kích cỡ ở mức centimet vô hình đối với sóng viba (microwaves – các sóng với
Áo choàng tàng hình ‘hoàn hảo’
Lần đầu tiên các nhà khoa học thành công trong việc “tàng hình” hoàn hảo một vật thể, làm cho một vật hình trụ kích cỡ ở mức centimet vô hình đối với sóng viba (microwaves – các sóng với
Hiện tượng phóng điện do tĩnh điện (ESD) – Phần 3: Dòng điện ESD
(Phần 2: Các mô hình ESD) … Trong mô hình tương đương ở Hình 1, dòng điện chạy trong mạch khi ESD xảy ra có thể được xác định bằng cách giải phương trình vi phân cấp 2: với điều
Hiện tượng phóng điện do tĩnh điện (ESD) – Phần 3: Dòng điện ESD
(Phần 2: Các mô hình ESD) … Trong mô hình tương đương ở Hình 1, dòng điện chạy trong mạch khi ESD xảy ra có thể được xác định bằng cách giải phương trình vi phân cấp 2: với điều
Hiện tượng phóng điện do tĩnh điện (ESD) – Phần 2: Các mô hình ESD
(Phần 1: Á!) … Trong lĩnh vực bán dẫn, hiện tượng phóng điện do tĩnh điện có thể xảy ra đối với các con chíp trong suốt vòng đời của nó bất kể là nó đang ở trong dây chuyền
Hiện tượng phóng điện do tĩnh điện (ESD) – Phần 2: Các mô hình ESD
(Phần 1: Á!) … Trong lĩnh vực bán dẫn, hiện tượng phóng điện do tĩnh điện có thể xảy ra đối với các con chíp trong suốt vòng đời của nó bất kể là nó đang ở trong dây chuyền
Hiện tượng phóng điện do tĩnh điện (ESD) – Phần 1: Á!
Nói theo kiểu khoa học kỹ thuật thì hiện tượng phóng điện do tĩnh điện (Electrostatic Discharge hay ESD) là sự phóng điện xảy ra khi hai vật tích điện có điện thế khác nhau được đưa đến gần hoặc
Hiện tượng phóng điện do tĩnh điện (ESD) – Phần 1: Á!
Nói theo kiểu khoa học kỹ thuật thì hiện tượng phóng điện do tĩnh điện (Electrostatic Discharge hay ESD) là sự phóng điện xảy ra khi hai vật tích điện có điện thế khác nhau được đưa đến gần hoặc
Công nghệ 3-D cho chíp bán dẫn – Phần 2: Through-Silicon Via
Phần 2 và cũng là phần cuối của bài viết “3D Chips Grow Up” của Rachel Courtland đăng trên tạp chí IEEE Spectrum số tháng 1/2012 . (Xem Phần 1: FinFET.) … Công nghệ FinFET của Intel không phải là cách
Công nghệ 3-D cho chíp bán dẫn – Phần 2: Through-Silicon Via
Phần 2 và cũng là phần cuối của bài viết “3D Chips Grow Up” của Rachel Courtland đăng trên tạp chí IEEE Spectrum số tháng 1/2012 . (Xem Phần 1: FinFET.) … Công nghệ FinFET của Intel không phải là cách
Tạ Minh Chiến
Phạm Duy Đông
Huỳnh Lê Vũ Dương
Hồ Quang Tây
mikekan15
Astroboy
Hoa-Phuong Nguyen
Huỳnh Trọng Anh
Đinh Thành Việt
Chuyên Mục Công Nghệ 