Category Archives: Thiết kế

Design

Dặm đường khám phá điện trở nhớ – Phần 3


Phần 1 2 3 Chúng tôi như phát điên khi xem các biểu đồ của Chua. Giờ thì chúng tôi có bằng chứng rõ ràng rằng trở kháng nhớ có liên quan tới những chiếc công tắc của mình. Nhưng

Dặm đường khám phá điện trở nhớ – Phần 3


Phần 1 2 3 Chúng tôi như phát điên khi xem các biểu đồ của Chua. Giờ thì chúng tôi có bằng chứng rõ ràng rằng trở kháng nhớ có liên quan tới những chiếc công tắc của mình. Nhưng

Dặm đường khám phá điện trở nhớ – Phần 2


Phần 1 2 3 Tất cả chỉ là do kích cỡ. Giờ thì chúng tôi biết rằng trở kháng nhớ là đặc tính nội tại có trong bất kỳ mạch điện nào. Sự tồn tại của nó đáng lẽ ra

Dặm đường khám phá điện trở nhớ – Phần 2


Phần 1 2 3 Tất cả chỉ là do kích cỡ. Giờ thì chúng tôi biết rằng trở kháng nhớ là đặc tính nội tại có trong bất kỳ mạch điện nào. Sự tồn tại của nó đáng lẽ ra

Dặm đường khám phá điện trở nhớ – Phần 1


Phần 1 2 3 Điện trở nhớ (memristor) – có chức năng tương tự như một khớp thần kinh (synapse) – có thể tạo nên một cuộc cách mạng trong lĩnh vực thiết kế mạch. Đã tới lúc ngừng việc

Dặm đường khám phá điện trở nhớ – Phần 1


Phần 1 2 3 Điện trở nhớ (memristor) – có chức năng tương tự như một khớp thần kinh (synapse) – có thể tạo nên một cuộc cách mạng trong lĩnh vực thiết kế mạch. Đã tới lúc ngừng việc

Đo độ phóng xạ ở Fukushima: một ví dụ về khai thác sức mạnh cộng đồng


Ngày 11 tháng 3 năm 2011, một trận động đất cường độ 8.9 độ Richter đã tạo nên cơn sóng thần có sức mạnh huỷ diệt với những bức tường nước quét qua các thành phố ven biển phía bắc

Đo độ phóng xạ ở Fukushima: một ví dụ về khai thác sức mạnh cộng đồng


Ngày 11 tháng 3 năm 2011, một trận động đất cường độ 8.9 độ Richter đã tạo nên cơn sóng thần có sức mạnh huỷ diệt với những bức tường nước quét qua các thành phố ven biển phía bắc

Hiện tượng phóng điện do tĩnh điện (ESD) – Phần cuối: Anti-parallel diodes


(Phần 9: Bảo vệ ESD cho mạch có nhiều nguồn cấp điện) … Cách thức hoạt động của anti-parallel diodes trong điều kiện có ESD thì hoàn toàn tương tự như trong mạch double-diode: một trong hai diode sẽ bị

Hiện tượng phóng điện do tĩnh điện (ESD) – Phần cuối: Anti-parallel diodes


(Phần 9: Bảo vệ ESD cho mạch có nhiều nguồn cấp điện) … Cách thức hoạt động của anti-parallel diodes trong điều kiện có ESD thì hoàn toàn tương tự như trong mạch double-diode: một trong hai diode sẽ bị

Hiện tượng phóng điện do tĩnh điện (ESD) – Phần 9: Bảo vệ ESD cho mạch có nhiều nguồn cấp điện


(Phần 8: Toàn cảnh bảo vệ ESD cho mạch có một nguồn cấp điện) … Trong rất nhiều trường hợp thực tế, con chíp sử dụng nhiều hơn một nguồn cấp điện. Ví dụ như: Chíp digital có thể sử

Hiện tượng phóng điện do tĩnh điện (ESD) – Phần 9: Bảo vệ ESD cho mạch có nhiều nguồn cấp điện


(Phần 8: Toàn cảnh bảo vệ ESD cho mạch có một nguồn cấp điện) … Trong rất nhiều trường hợp thực tế, con chíp sử dụng nhiều hơn một nguồn cấp điện. Ví dụ như: Chíp digital có thể sử

Hiện tượng phóng điện do tĩnh điện (ESD) – Phần 8: Toàn cảnh bảo vệ ESD cho mạch có một nguồn cấp điện


(Phần 7: Bảo vệ ESD cho các I/O tín hiệu với mạch “double-diode”) … Sau khi xây dựng được mạch power clamp để bảo vệ các chân cấp nguồn và mạch double-diode để bảo vệ các I/O ta có thể

Hiện tượng phóng điện do tĩnh điện (ESD) – Phần 8: Toàn cảnh bảo vệ ESD cho mạch có một nguồn cấp điện


(Phần 7: Bảo vệ ESD cho các I/O tín hiệu với mạch “double-diode”) … Sau khi xây dựng được mạch power clamp để bảo vệ các chân cấp nguồn và mạch double-diode để bảo vệ các I/O ta có thể